CMOS集成化MEMS振蕩器 成本競爭力趕超水晶

在與4月25日閉幕的“2008日本（běn）傳感器綜合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”並設的“2008傳感器·執行器·微機械綜合討論會”上，美國SiTime的日本代理商就SiTime的MEMS振蕩器（矽振蕩器）發表演講（jiǎng），就其相（xiàng）對於現有水晶振蕩器的優越性進行了介紹（shào）。

　　演講人（rén）向（xiàng）中野 浩誌（Macnica產品企劃部部長）表示，在成（chéng）本方麵，MEMS振（zhèn）蕩器優於水晶振蕩器。在使用晶體底板尺寸較大的矽時，加工（gōng）所需的掩膜數量不到10張。考慮（lǜ）到通用CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器的成本競爭力（lì）較高。並且，向中野還通過與已上市的水晶振蕩器的配置進行對比，用具體數值強調了MEMS振（zhèn）蕩器在性（xìng）能和（hé）成本（běn）上的優勢。

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發揮比現在更大的成本競爭力。這是因為，MEMS部分（振子）和溫度校正所需的周邊電（diàn）路可以實現單芯片化。利用該公司擁有的技術，能夠把作為可動部分（fèn）的振子在CMOS的前工序中密閉，然後形成CMOS電路。無需經過焊接和引線鍵合等安裝工序，即可使MEMS部分（fèn）和CMOS部（bù）分實現單芯片化。

　　但是，在現在供應的（de）產品中，MEMS部分和CMOS部分作為單獨芯片製造，分（fèn）別通過引線鍵合連接。兩個芯片（piàn）無法（fǎ）合一的原因在於二者接近後（hòu）存在幹擾。就此，向中野表示（shì），“怎樣使MEMS部（bù）分和CMOS部分能夠接近”，並作（zuò）為單芯片產品投產，將是今後（hòu）需要解（jiě）決的課題。