CMOS集成化（huà）MEMS振蕩器 成本競爭力趕超（chāo）水晶

在與4月25日閉幕的“2008日（rì）本傳（chuán）感器綜合（hé）展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”並設的“2008傳感器·執行器·微機械（xiè）綜合討論會”上，美國SiTime的日（rì）本代理商就SiTime的MEMS振蕩器（矽（guī）振（zhèn）蕩器）發表演講，就（jiù）其相對於現有水晶（jīng）振蕩器的優越性進（jìn）行了（le）介紹。

　　演講人向中野 浩誌（Macnica產品企劃部部長）表示，在成本方麵，MEMS振蕩器優於水晶振蕩器（qì）。在使用晶體底板尺寸較大的矽時，加工所需的掩膜數量不到10張。考慮到（dào）通用CMOS LSI需（xū）要20張以上的掩膜，MEMS振（zhèn）蕩器的成（chéng）本競爭力較高。並且，向（xiàng）中野還通過與已上市的水晶振蕩器的配置進行對比，用具體數值（zhí）強調了MEMS振蕩器在性能和（hé）成本上的（de）優勢。

　　SiTime的MEMS振蕩（dàng）器原可以發揮比現在更（gèng）大的成本競爭力。這是因為，MEMS部分（振子）和（hé）溫度校正所需的周邊電路可以實現單芯片化。利用該公司（sī）擁有的技術，能夠把作為可動部分的振子在CMOS的前工序中密閉，然後（hòu）形成（chéng）CMOS電路。無（wú）需經過焊接和引線鍵合等安裝工序，即可使MEMS部分和CMOS部分實現單（dān）芯片化。

　　但是，在現在供應的（de）產品中，MEMS部（bù）分和（hé）CMOS部分作為單獨芯片製造，分別通過引線鍵合連接。兩個芯（xīn）片無法合一的原因在於二者接近後存在幹擾。就此，向中野表示，“怎樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，並（bìng）作為單芯片（piàn）產（chǎn）品投產，將（jiāng）是今（jīn）後需要（yào）解決的（de）課題。